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赛扬D:采用prescott核心,采用90纳米工艺,前端总线533FSB,1级缓存16KB,2级缓存256KB,支持MMX SEE SEE2 SEE3图拉丁P3:采用0.13微米工艺,外频133MHz,2级缓存512KB,支持MMX SEE 赛扬D的性能远超过图拉丁P3
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