本人想了解发光二极管的发展历史以及目前的运用状况，谢谢！

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半导体发光二极管及其发展历史及运用发光二极管Light-Emitting Diode 是由数层很薄的掺杂半导体材料制成。当通过正向电流时，n区电子获得能量越过PN结的禁带与p区的空穴复合以光的形式释放出能量发光二极管的发展年代发光颜色材料发光效率lm/w1965红Ge0。11968橙、黄GaAsP11971绿GaP180年代红AlGaAs1090年代红,黄GaAlInP10090年代蓝,绿GaInN5090年代蓝GaN200宽带隙化合物半导体材料，有很高的禁带宽度（2。3 —6。2eV)，可以覆盖红、黄、绿、蓝、紫和紫外光谱范围 ，是到目前为止其它任何半导体材料都无法达到的高频特性，可以达到300G Hz（硅为10G，砷化镓为80G）高温特性，在300℃正常工作（非常适用于航天、军事和其它高温环境）电子漂移饱和速度高、介电常数小、导热性能好耐酸、耐碱、耐腐蚀（可用于恶劣环境）高压特性（耐冲击，可靠性高）大功率（对通讯设备是非常渴望的）半导体白光照明车内照明交通信号灯装饰灯大屏幕全彩色显示系统太阳能照明系统其他照明领域紫外、蓝光激光器高容量蓝光DVD、激光打印和显示、军事领域等发光效率高，节省能源•耗电量为同等亮度白炽灯的 10%-20%，荧光灯的1/2。绿色环保•冷光源，不易破碎，没有电磁干扰，产生废物少寿命长•寿命可达10万小时固体光源、体积小、重量轻、方向性好•单个单元尺寸只有3~5mm响应速度快，并可以耐各种恶劣条件低电压、小电流日本、美国、欧盟、韩国等国家和地区都相继制定了本国的半导体照明计划我国科技部于2003年6月成立“国家半导体照明工程”协调领导小组，在“十五”期间，从国家层面推出“半导体照明工程”如果我国1/3照明应用半导体照明，每年可以节约的电量1000亿度，多于一个三峡水电站的发电量（800亿度）。