A.能耗低、速度快 B.能耗高、散热佳C.传输快、能耗高
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A.能耗低、速度快
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A能耗低、速度快。DDR2技术可以说是早已成熟的DDR技术的直接升级。下面就先让我们来看一下在延迟方面DDR2和DDR的比较。DDR2和DDR一样,都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的方式,但是较DDR有所不同的是,DDR2还拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力,也就是说,在同样的100MHz工作频率下,DDR的实际频率为200MHz,而DDR2则可以达到400MHz;当然,在表面上我们就看到了DDR2的实际工作频率达到了DDR的两倍!DDR2的这种技术被称之为4bit预读技术。但是同时这就出现了另一个问题,在同等工作频率的DDR和DDR2内存中,DDR2的内存延迟要高于前者。比如DDR200和DDR2400,他们实际上具有相同的延迟,而DDR2400却具有高一倍的带宽。实际上,DDR2400和DDR400具有相同的带宽,它们都是3。2GB/s,但是DDR400的核心工作频率是200MHz,而DDR2400的核心工作频率却是100MHz,也就是说DDR2400的延迟要高于DDR400。封装方面,DDR内存通常采用TSOP芯片封装,这种封装可以很好的工作在200MHz左右,但是一旦超过这个工作频率后,它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容,这使得它的稳定性和频率提升面临了很大的困难。这样是DDR的核心频率很难突破275MHz的主要原因。与之相比,DDR2内存采用了更为先进的FBGA封装,这种封装形式提供了更好的电气性能和散热性能,这给DDR2的稳定工作和工作频率的提升提供了良好的保障。DDR2内存采用了1。8V电压,这比DDR的2。5V降低了很多,这不仅降低了内存的功耗,也使得散热量更少!在低功耗、低散热量的前提之下,DDR2获得了大幅的频率提升,很快突破了标准的DDR400MHz的限制。DDR2还引入了三项新的技术,它们是OCD、ODT和PostCAS。OCD(Off-ChipDriver):也就是所谓的离线驱动调整,DDRII通过OCD可以提高信号的完整性。通过控制电压来提高信号品质。 是内建核心的终结电阻器。DDRSDRAM的主板上面有大量的终结电阻,这大大增加了主板的制造成本。不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的,终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率,终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低;终结电阻高,则数据线的信噪比高,但是信号反射也会增加。主板上的终结电阻不能非常好的匹配内存模组,在一定程度上影响信号品质。DDR2根据自已的特点内建合适的终结电阻,不但可以降低主板成本,还得到了最佳的信号品质,这是DDR不能比拟的。PostCAS:它是为了提高DDRII内存的利用效率而设定的。
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惠普畅游人系列家用电脑采用的DDR2内存与DDR内存比较起来，优点是能耗低、速度快。作为消费者，我不懂那么多专业术语，只知道最直观，最经济，最优质，物尽其用，好品牌选择好产品，品牌=品质。
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C 我看过介绍了
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能耗低、速度快。DDR2与DDR的区别 与DDR相比，DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。DDR2与DDR的区别示意图 与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据，比传统DDR内存可以处理的2bit数据高了一倍。DDR2内存另一个改进之处在于，它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。 然而，尽管DDR2内存采用的DRAM核心速度和DDR的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存，因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。首先是接口不一样，DDR2的针脚数量为240针，而DDR内存为184针；其次，DDR2内存的VDIMM电压为1。8V，也和DDR内存的2。5V不同。。
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A能耗低、速度快。
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A能耗低、速度快。DDR2技术可以说是早已成熟的DDR技术的直接升级。下面就先让我们来看一下在延迟方面DDR2和DDR的比较。DDR2和DDR一样,都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的方式,但是较DDR有所不同的是,DDR2还拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力,也就是说,在同样的100MHz工作频率下,DDR的实际频率为200MHz,而DDR2则可以达到400MHz;当然,在表面上我们就看到了DDR2的实际工作频率达到了DDR的两倍!DDR2的这种技术被称之为4bit预读技术。但是同时这就出现了另一个问题,在同等工作频率的DDR和DDR2内存中,DDR2的内存延迟要高于前者。比如DDR200和DDR2400,他们实际上具有相同的延迟,而DDR2400却具有高一倍的带宽。实际上,DDR2400和DDR400具有相同的带宽,它们都是3。2GB/s,但是DDR400的核心工作频率是200MHz,而DDR2400的核心工作频率却是100MHz,也就是说DDR2400的延迟要高于DDR400。封装方面,DDR内存通常采用TSOP芯片封装,这种封装可以很好的工作在200MHz左右,但是一旦超过这个工作频率后,它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容,这使得它的稳定性和频率提升面临了很大的困难。这样是DDR的核心频率很难突破275MHz的主要原因。与之相比,DDR2内存采用了更为先进的FBGA封装,这种封装形式提供了更好的电气性能和散热性能,这给DDR2的稳定工作和工作频率的提升提供了良好的保障。DDR2内存采用了1。8V电压,这比DDR的2。5V降低了很多,这不仅降低了内存的功耗,也使得散热量更少!在低功耗、低散热量的前提之下,DDR2获得了大幅的频率提升,很快突破了标准的DDR400MHz的限制。DDR2还引入了三项新的技术,它们是OCD、ODT和PostCAS。OCD(Off-ChipDriver):也就是所谓的离线驱动调整,DDRII通过OCD可以提高信号的完整性。通过控制电压来提高信号品质。 是内建核心的终结电阻器。DDRSDRAM的主板上面有大量的终结电阻,这大大增加了主板的制造成本。不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的,终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率,终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低;终结电阻高,则数据线的信噪比高,但是信号反射也会增加。主板上的终结电阻不能非常好的匹配内存模组,在一定程度上影响信号品质。DDR2根据自已的特点内建合适的终结电阻,不但可以降低主板成本,还得到了最佳的信号品质,这是DDR不能比拟的。PostCAS:它是为了提高DDRII内存的利用效率而设定的。
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